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Oggi — 11 Dicembre 2018RSS feeds

Natale Amazon, domotica in sconto

di Filippo Vendrame

Natale è sempre più vicino e lo shopping natalizio si sta facendo ogni giorno più frenetico. Amazon continua con le sue proposte di regali Last Minute per aiutare i suoi clienti a trovare i migliori oggetti da regalare ad amici e parenti approfittando di alcune interessanti promozioni che permettono di risparmiare un po’ di soldi. All’interno del Negozio di Natale, le persone potranno trovare sconti su prodotti appartenenti ad un po’ tutte le categorie merceologiche.

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AlphaZero batte le altre AI

di Antonino Caffo

Se è passato un anno dalla nascita di AlphaGo, l’intelligenza artificiale di DeepMind che impara da sola, la notizia è che adesso gli algoritmi avanzati si sfidano a vicenda, avendo già superato gli umani in varie discipline, tra cui proprio il gioco Go.

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APK Amazon Alexa: come si installa

di Filippo Vendrame

Per poter disporre dell’assistente personale Amazon Alexa sul proprio dispositivo mobile Android è necessario installare l’omonima app presente all’interno del Play Store di Google. App necessaria non solo per poter interagire con l’assistente ma anche per configurare e gestire gli eventuali smart speaker della serie Echo di Amazon. L’installazione dell’app è facile in quanto è necessario solamente recarsi all’interno del Play Store di Google, trovare l’app e scaricarla. In pochi secondi Amazon Alexa sarà utilizzabile dal proprio smartphone.

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Windows 10 19H1 build 18298 agli Insider, novità

di Filippo Vendrame

Microsoft ha rilasciato la build 18298 di Windows 10 19H1 agli Insider. Trattasi della nuova build di sviluppo del prossimo grande step funzionale di Windows 10 che arriverà nel corso della primavera del 2019. Le note di rilascio di questa nuova build mettono in risalto tante piccole novità, alcune delle quali interessanti.

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Al MIT hanno messo a punto un transistor 3D da 2,5 nanometri

di Manolo De Agostini

Ricercatori del MIT e della University of Colorado hanno prodotto un transistor 3D (FinFET) da 2,5 nanometri, ovvero con dimensioni di gran lunga inferiori a quelle dei più piccoli transistor alla base dei chip commerciali odierni. Per metterlo a punto hanno sviluppato una nuova “tecnica di microfabbricazione che modifica il materiale semiconduttore atomo per atomo”.

Più precisamente i ricercatori hanno modificato una tecnica di incisione chimica di recente invenzione, chiamata thermal atomic level etching (thermal ALE), per poter intervenire con precisione sui materiali semiconduttori a livello atomico. Questa nuova tecnica è più precisa di quelle in uso e porta a ottenere transistor di maggiore qualità. Inoltre, fa uso di uno strumento di microfabbricazione diffuso, usato per depositare strati atomici sui materiali, il che significa che potrebbe essere rapidamente integrato nella catena produttiva.

Crediamo che questo lavoro avrà un grande impatto reale“, ha commentato il primo autore dello studio Wenjie Lu, studente laureato del MIT Microsystems Technology Laboratories (MTL). “Dato che la legge di Moore richiede il continuo ridimensionamento delle dimensioni dei transistor, è sempre più difficile fabbricare tali dispositivi su scala nanometrica. Per progettare transistor più piccoli, dobbiamo essere in grado di manipolare i materiali con precisione a livello atomico”.

La microfabbricazione coinvolge la deposizione (la crescita di un film su un substrato) e l’incisione (incidere disegni sulla superficie). Per formare i transistor, la superficie del substrato viene esposta alla luce tramite fotomaschere con forma e struttura del transistor. Tutto il materiale esposto alla luce può essere inciso e rimosso con sostanze chimiche, mentre il materiale nascosto dietro le fotomaschere rimane.

Una nuova tecnica produttiva consente di creare transistor 3D con un'ampiezza inferiore alla metà dei modelli commerciali. Nell'immagine una sezione trasversale di uno di transistor creati al MIT con un'ampiezza di soli 3 nanometri.

Le tecniche migliori per la microfabbricazione si chiamano atomic layer deposition (ALD) e atomic layer etching (ALE). Nella prima due sostanze chimiche sono depositate sulla superficie del substrato e reagiscono tra loro in un reattore sotto vuoto per formare un film di spessore desiderato, uno strato atomico alla volta.

Con le tecniche ALE tradizionali si usa un plasma con ioni altamente energetici che rimuovono singoli atomi sulla superficie del materiale. Tutto ciò però causa danni superficiali. Questi metodi inoltre espongono il materiale all’aria, con l’ossidazione che porta ad avere ulteriori difetti che impattano sulle prestazioni.

Nel 2016 la University of Colorado ha inventato una tecnica chiamata “thermal ALE”, che ricorda da vicino ALD e si basa su una reazione chimica chiamata “ligand exchange”. In questo processo uno ione in un composto chiamato ligando – che lega gli atomi metallici – viene rimpiazzato da un ligando in un differente composto. Quando le sostanze chimiche vengono eliminate, la reazione fa sì che i ligandi di sostituzione rimuovano singoli atomi dalla superficie. Finora la tecnica era stata utilizzata solo per incidere gli ossidi.

In questo nuovo studio i ricercatori hanno modificato la tecnica per applicarla a un materiale semiconduttore, usando lo stesso reattore usato per ALD. Hanno usato una lega di materiali semiconduttori chiamata arseniuro di gallio indio (o InGaAs), che viene sempre indicata come alternativa più veloce ed efficiente al silicio.

I ricercatori hanno esposto il materiale all’acido fluoridrico, che forma uno strato atomico di fluoruro di metallo sulla superficie. Successivamente hanno versato un composto organico chiamato cloruro di dimetilalluminio (DMAC). Il processo di scambio dei ligandi si verifica sullo strato di fluoruro di metallo. Quando il DMAC viene epurato, i singoli atomi lo seguono.

La tecnica viene ripetuta per diverse centinaia di cicli. In un reattore separato, i ricercatori hanno poi depositato il gate, l’elemento metallico che controlla spegnimento e accensione dei transistor. Negli esperimenti i ricercatori hanno rimosso appena 0,02 nanometri dalla superficie del materiale alla volta. “È quasi come sbucciare una cipolla, strato dopo strato“, ha spiegato Lu. “In ogni ciclo, possiamo incidere solo il 2% di un nanometro di materiale. Questo ci dà un’accuratezza eccellente e un controllo accurato del processo”.

Dato che la tecnica è molto simile ad ALD, “potete integrare l’ALE termico nello stesso reattore in cui lavorate sulla deposizione”, ha affermato il professor Jesus A. del Alamo. È necessaria solamente “una piccola riprogettazione dello strumento di deposizione per gestire i nuovi gas per fare la deposizione immediatamente dopo l’incisione…. Questo è molto interessante per l’industria”.

Usando la nuova tecnica i ricercatori hanno prodotto dei transistor FinFET. La maggior parte ha mostrato un’ampiezza inferiore ai 5 nanometri e circa 220 nanometri in altezza. Inoltre, la tecnica ha limitato l’esposizione del materiale ai difetti causati dall’ossigeno che rendono i transistor meno efficienti.

I transistor si sono comportati all’incirca il 60% meglio dei FinFET tradizionali nella “transconduttanza” secondo i ricercatori. I transistor convertono una piccola tensione in ingresso in una corrente fornita dal gate che accende o spegne il transistor per processare gli uno e gli zero. La transconduttanza misura quanta energia è necessaria per convertire tale tensione.

Limitare i difetti porta anche a un maggiore contrasto on-off, dicono i ricercatori. Idealmente, quando i transistor sono attivi, si desidera un flusso di corrente elevato e quasi nessuna corrente che scorre quando sono spenti, per risparmiare energia. “Questo contrasto è essenziale per realizzare switch logici efficienti e microprocessori ancora più efficienti”, ha spiegato il professore del Alamo. “Finora, abbiamo ottenuto il miglior rapporto [tra i FinFET]”.

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  • 11 Dicembre 2018 ore 07:15

Ecco i premi di TIM Party per Natale

di Roberto F.

Natale sta arrivando e anche TIM Party ha introdotto una serie di promozioni dedicate al periodo di feste che ci apprestiamo a vivere

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Un’inchiesta del New York Times conferma che molte app condividono i dati degli utenti

di Giuseppe Biondo

Un report del NYT ha messo in luce un'importante violazione della privacy messa in atto da alcune app sviluppate tanto per Android che per iOS

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Amazon Go sbarca in Europa

di Filippo Vendrame

Amazon avrebbe intenzione di portare i suoi negozi Amazon Go anche in Europa. Secondo The Telegraph che ha condiviso l’indiscrezione, la società di Jeff Bezos avrebbe in progetto di aprire un suo punto vendita Amazon Go nel cuore di Londra. Si tratterebbe della prima volta che uno dei negozi senza cassa del colosso dell’ecommerce viene aperto al di fuori di confini americani.

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Natale 2018 da Trony: idee regalo e promozioni

di Filippo Vendrame

Per Natale, Trony ha lanciato una ghiotta promozione valida in tutti i suoi punti vendita. Sino al prossimo 24 di dicembre, a fronte dell’acquisto contemporaneo, cioè con unico atto di acquisto e con scontrino unico, di due prodotti a libera scelta del consumatore, tra quelli evidenziati e contrassegnati con apposito bollo promozionale nel punto vendita, ogni consumatore otterrà, contestualmente all’acquisto, uno sconto pari al 50% sul prodotto che, tra i due, costa di meno.

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Microsoft HoloLens 2 con Snapdragon 850

di Filippo Vendrame

Microsoft HoloLens 2 potrebbe essere dotato del SoC Qualcomm Snapdragon 850. L’indiscrezione arriva da Neowin che afferma che la casa di Redmond potrebbe aver scelto questo chip per il cuore del suo prossimo visore per la Mixed Reality. La fonte evidenzia come durante l’estate erano emerse indiscrezioni sul fatto che HoloLens 2 avrebbe potuto adottare il processore Qualcomm XR1 espressamente progettato per la realtà aumentata.

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Samsung sfida ancora Huawei: Galaxy A8S ha la fotocamera con lo schermo attorno. Ma serve davvero?

di Roberto Pezzali
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Negli ultimi anni abbiamo conosciuto una Samsung saggia, che ha saputo spingere sull’acceleratore dell’innovazione con i giusti tempi. I recenti top di gamma della serie Galaxy lo dimostrano: poche idee ma ben pensate per migliorare un prodotto già buono.

Quello che ha fatto Apple negli ultimi anni...Continua

  • 11 Dicembre 2018 ore 07:00

TP-Link ha annunciato i router Archer AX6000 e AX11000 Wi-Fi 6 (802.11ax)

di Manolo De Agostini

TP-Link ha annunciato i suoi primi router con supporto allo standard 802.11ax, anche noto come Wi-Fi 6. I modelli sono due, Archer AX6000 e Archer AX11000. Il primo è già disponibile in preordine negli Stati Uniti, a 350 dollari, mentre il secondo arriverà verso fine gennaio a 450 dollari.

Entrambi i modelli si basano su piattaforme di Broadcom. Il modello AX6000 è dotato di un SoC Broadcom BCM49408 con quattro core ARM Cortex A53 a 1,8 GHz, con un coprocessore che si occupa della gestione dei pacchetti di rete che opera a 800 MHz e mantiene la CPU principale libera per altre operazioni. Oltre a questo chip ci sono due chip radio BCM43684 in configurazione 4×4:4, con uno che opera a 2,4 GHz per un throughput teorico di 1148 Mbps e un altro che funziona su un canale dedicato a 5 GHz con un throughput massimo teorico di 4804 Mbps.

L’AX11000 è una piattaforma tri-band che si basa sempre sul SoC BCM49408. Collegato a questo chip ci sono tre soluzioni BCM43684 in configurazione 4×4:4, due dedicate ai 5 GHz (fino a 4804 Mbps ciascuna) e una ai 2,4 GHz (fino a 1148 Mbps). Con questo prodotto TP-Link punta ai videogiocatori, con funzioni integrate come ‘Game Accelerator’ QoS e la possibilità di usare uno dei collegamenti a 5 GHz esclusivamente per il gaming.

Entrambi i router hanno 1 GB di RAM, una porta WAN a 2,5 Gbps, otto Gigabit LAN e due USB 3.0 (1x Type-A e 1x Type-C). Supportano anche funzioni quali link aggregation, band steering e DFS.

Per quanto riguarda la nuova generazione del Wi-Fi, nasce per prendere di petto il problema della congestione delle reti e punta a garantire migliori prestazioni e consumi ridotti nelle bande 2,4 e 5 GHz con un uso più efficiente dello spettro. Il nuovo W-Fi assicura un data rate il 37% maggiore del Wi-Fi 5 (IEEE 802.11ac), un throughput per utente quattro volte superiore e può gestire otto flussi a 5 GHz e quattro a 2,4 GHz.

Tra le altre caratteristiche del Wi-Fi 6 abbiamo l’integrazione “di serie” di MU-MIMO, per servire più dispositivi contemporaneamente, e OFDMA, sigla che sta per “Orthogonal Frequency-Division Multiple Access”, una tecnologia mutuata dal settore delle reti mobili che migliora l’efficienza nell’uso dei canali.

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SSD lento: cosa fare quando l'SSD non è veloce come dovrebbe

Gli SSD sono estremamente veloci, lo sono davvero!, e raccomando a chiunque ancora utilizzi un lento disco fisso meccanico di svolgere l'upgrade alla prima occasione utile (qui la guida). Ciò detto, è estremamente importante che anche tutto il resto del PC sia adeguatamente configurato per sfruttare al massimo il disco allo stato solido: quando così non è, le performance ne risentono. Vediamo allora le principali cause e soluzioni ai problemi di lentezza dell'SSD

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  • 11 Dicembre 2018 ore 00:00
Ieri — 10 Dicembre 2018RSS feeds

Leica M10: la piccola mirrorless full frame d'élite

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  • 10 Dicembre 2018 ore 15:41

Regali Natale 60 anni: le migliori idee regalo

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  • 10 Dicembre 2018 ore 14:27

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  • 10 Dicembre 2018 ore 14:27

Arrivano i messaggi vocali stile “walkie-talkie” anche su Instagram

di Giovanni Pardo

Instagram lancia la funzione "walkie talkie" che permette di inviare messaggi vocali ai propri follower della durata massima di 1 minuto.

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Auto connesse: i veicoli V2X “parleranno” una lingua universale

Bosch e Veniam hanno sviluppato una tecnologia che fa comunicare tra loro auto diverse. La lingua universale per V2X è candidata al premio CES 2019

Download e novità di Windows 10 19H1 Insider Preview Build 18298

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Microsoft ha appena rilasciato Windows 10 Insider Preview Build 18298 ai Windows Insider che hanno scelto il canale di distribuzione Veloce (Fast ring) o Skip Ahead. Si tratta di una nuova versione di anteprima di 19H1, il settimo grande aggiornamento per PC e tablet equipaggiati con Windows 10. 19H1 sarà rilasciato pubblicamente per PC e tablet nella prima […]

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OnePlus 6T McLaren Edition: ecco quanto costerà in Europa

di Vincenzo

A meno di 24 ore all'evento di lancio del nuovo OnePlus 6T McLaren Edition è trapelato il prezzo di listino per i mercati europei: 699/709 euro.

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